FDMS3606S
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onsemi FDMS3606S
| Artikelnummer: | FDMS3606S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $1.47 |
| 100+ | $1.1459 |
| 500+ | $0.9466 |
| 1000+ | $0.7473 |
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- Verpackung
-
onsemi FDMS3606S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDMS3606S.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse Power56 Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V Leistung - max 1W Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1785pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A, 27A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Grundproduktnummer FDMS3606 FDMS3606S Einzelheiten PDF [English] FDMS3606S PDF - EN.pdf -
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